可以建造它吗？
● 核心：垂直排列的单层石墨烯（电子速度 > 150,000 cm²/Vs）。
● 互连层：纳米层硅（Si），用于创建能量障碍（带隙）。
● 屏蔽/栅极：同轴金（Au）涂层（噪声屏蔽和瞬时散热）。
● 基底（衬底）：合成单晶钻石（热导率 > 2200 W/mK）。
B. 性能参数（估计）
● 工作频率：500 GHz - 1.2 THz（相比于今天的 5 GHz）。
● 能效：与传统场效应晶体管设计相比，功耗降低 90%。
● 热管理：能够被动运行，无需主动冷却。
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● Core: Vertically aligned monolayer graphene (electron velocity > 150\,000\text{
cm}^2/\text{Vs}).
● Interconnect layer: Nanolayer silicon (Si) to create an energy barrier
(bandgap).
● Shield/Gate: Coaxial gold (Au) coating (noise shielding and instant heat dissipation).
● Base (Substrate): Synthetic single-crystal diamond (thermal conductivity > 2200\text{
W/mK}).
B. Performance parameters (Estimated)
● Operating frequency: 500\text{ GHz} - 1.2\text{ THz} (vs. today's 5\text{ GHz}).
● Energy efficiency: 90\ \% power reduction compared to traditional FET
design.
● Thermal Management: Capable of passive operation without the need for active cooling